Széles sávú rés félvezető ultraibolya detektorok, mint egy élvonalbeli technológia, már egy hot spot területén a nemzetközi összetett félvezető kutatás és fejlesztés az elmúlt tíz évben. Ezek közül a hagyományos ultraibolya detektorok éretté váltak.
Ultraibolya észlelés: A nagyobb nyugati országok mindig is nagy jelentőséget tulajdonítottak a széles résű félvezető ultraibolya lavina fotódetektorok kutatásának. Az évek során sok kutatási erőforrást fektettek be a megfelelő kutatások elvégzéséhez, és számos fejlett eredmény merült fel. Bár országom kutatása a sic-alapú UV detektorok kezdődött viszonylag későn, a kutatási szint területén széles résű félvezető UV APD nem messze a nemzetközi fejlett szinten. Széles sávú rés félvezető szubsztrátum és epitaxiális technológia, széles sávú rés félvezető optoelektronikai eszköz tervezés és mikro-feldolgozási technológia, UV egyfoton detektor csomagolás, tesztelés és áramkör támogató technológia, stb fontos megvalósítása kis tételben a termelés és a berendezések alkalmazása, és az információs technológia fejlesztésének előmozdítása Ez fontos szerepet játszik a nemzetbiztonság védelme.
Félvezető világítás: Az elmúlt tíz évben, a globális LED-piac bővült. Az Egyesült Államok, Japán és Európa vezető pozícióban van a világon, és elsajátította a legtöbb kulcsfontosságú technológiák és alapvető szabadalmak. A hazai félvezető világítási chiptechnológia fejlesztése viszonylag későn indult el a külföldi országokhoz képest, és a műszaki szint még mindig bizonyos távolságra van a nemzetközi vezetőtől. Azonban az elmúlt években a hazai világítási szintű LED-es chiptechnológia kutatása, fejlesztése és iparosítása is nagy előrelépést tett.
Kvantumeszközök: Jelenleg a nemzetközi határmenti hotspot a III-V és III nitrid félvezető kvantumpont szerkezeteken alapuló egyfotonfényforrások tanulmányozása, amelyek spin vagy polarizációs jellemzőket is hordoznak. Hogyan lehet megvalósítani a növekedés a III-V félvezető kvantum pontok ellenőrizhető méretű és rendezett elrendezése mindig is egy hot spot az iparban. Az optikai irányított átvitel területén a fő kutatás jelenleg mély ultraibolya litográfia, elektronsugár litográfia (EBL), nano bevnyomtatás és egyéb technológiák segítségével dolgozza fel a III-V vagy III nitrid félvezető sablonokat az optikailag tervezett periodikus tömbszerkezetek elkészítéséhez.
